Datasheet PSMN2R6-40YS - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 40 В, 100 А, SOT669 — Даташит
Наименование модели: PSMN2R6-40YS
![]() 32 предложений от 16 поставщиков МОП-транзистор N-CH 40V 2.8 mOhm Standard МОП-транзистор | |||
PSMN2R6-40YS,115 NXP | 37 ₽ | ||
PSMN2R6-40YS,115 Nexperia | от 147 ₽ | ||
PSMN2R6-40YS115 NXP | по запросу | ||
PSMN2R6-40YS Nexperia | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 40 В, 100 А, SOT669
Краткое содержание документа:
PSMN2R6-40YS
N-channel LFPAK 40 V 2.8 m standard level MOSFET
Rev.
01 -- 23 June 2009 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 40 В
- On State Resistance: 2 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Корпус транзистора: SOT-669
- Количество выводов: 4
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Current Id Max: 100 А
- Power Dissipation Pd: 131 Вт
RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
PSMN2R640YS, PSMN2R6 40YS