Миграция проектов на ПЛИС новых производителей

Datasheet PSMN2R6-40YS - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 40 В, 100 А, SOT669 — Даташит

NXP PSMN2R6-40YS

Наименование модели: PSMN2R6-40YS

32 предложений от 16 поставщиков
МОП-транзистор N-CH 40V 2.8 mOhm Standard МОП-транзистор
ChipWorker
Весь мир
PSMN2R6-40YS,115
NXP
37 ₽
PSMN2R6-40YS,115
Nexperia
от 147 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
PSMN2R6-40YS115
NXP
по запросу
Augswan
Весь мир
PSMN2R6-40YS
Nexperia
по запросу
Датчики давления азиатских производителей

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 40 В, 100 А, SOT669

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PSMN2R6-40YS
N-channel LFPAK 40 V 2.8 m standard level MOSFET
Rev.

01 -- 23 June 2009 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 40 В
  • On State Resistance: 2 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Корпус транзистора: SOT-669
  • Количество выводов: 4
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
  • Current Id Max: 100 А
  • Power Dissipation Pd: 131 Вт

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

PSMN2R640YS, PSMN2R6 40YS

На английском языке: Datasheet PSMN2R6-40YS - NXP MOSFET, N CH, 40 V, 100 A, SOT669

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка