Datasheet PSMN2R8-40PS - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 40 В, TO-220 — Даташит

Купить PSMN2R8-40PS на РадиоЛоцман.Цены — от 27 до 287 ₽ 34 предложений от 15 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; Idm: 797А; 211Вт
ChipWorker Весь мир	PSMN2R8-40PS,127 NXP	62 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	PSMN2R8-40PS NXP	от 100 ₽	Купить
727GS Весь мир	PSMN2R8-40PS NXP	от 100 ₽	Купить
LifeElectronics Россия	PSMN2R8-40PS,127 NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 40 В, TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NXP power switching MOSFETs in compact QFN3333 package
Smaller.

Faster. Cooler.
30 V Trench 6 MOSFETs in 3.3 x 3.3 mm QFN package
A new range of 30 V Trench 6 MOSFETs in QFN3333 (SOT873) package NXP now offers a range of high-performance, 30 V, logic-level MOSFETs in QFN3333 package. Measuring only 3.3 mm x 3.3 mm x 1 mm, the devices share the same great switching performance as our Trench-6 LFPAK types but with a 60% smaller footprint. They are ideal for space-constrained designs and high-efficiency power switching applications.
Key benefits } High efficiencies in power switching applications due to the optimized RDSon and gate charge (Qg) characteristics of Trench-6 technology } Fast switching - optimized for higher switching frequencies, typically up to 500 KHz } 1 mm package height for low-profile applications } Solder die-attach provides superior thermal performance - Rth(j-mb) } Reduced switching spikes } Avalanche rated and 100% factory tested to ensure high reliability in you

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 40 В
• On State Resistance: 2.8 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Корпус транзистора: TO-220
• Количество выводов: 3

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• CIRCUITWORKS - CW8100
• STANNOL - 535766

Варианты написания:

PSMN2R840PS, PSMN2R8 40PS