Оптопары и оптореле Megawin

Datasheet PSMN4R0-40YS - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 40 В, 100 А, SOT669 — Даташит

NXP PSMN4R0-40YS

Наименование модели: PSMN4R0-40YS

43 предложений от 18 поставщиков
Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
AllElco Electronics
Весь мир
PSMN4R0-40YS,115
Nexperia
от 64 ₽
PSMN4R0-40YS,115
Nexperia
от 114 ₽
PSMN4R0-40YS,115
Nexperia
от 130 ₽
ЗУМ-СМД
Россия
PSMN4R0-40YS
NXP
по запросу
АЦП азиатских производителей. Часть 1. Преобразователи последовательного приближения

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 40 В, 100 А, SOT669

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PSMN4R0-40YS
N-channel LFPAK 40 V 4.2 m standard level MOSFET
Rev.

02 -- 12 July 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 40 В
  • On State Resistance: 3.2 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Корпус транзистора: SOT-669
  • Количество выводов: 4
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
  • Current Id Max: 100 А
  • Power Dissipation Pd: 106 Вт

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

PSMN4R040YS, PSMN4R0 40YS

На английском языке: Datasheet PSMN4R0-40YS - NXP MOSFET, N CH, 40 V, 100 A, SOT669

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка