Источники питания KEEN SIDE

Datasheet PSMN4R0-40YS - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 40 В, 100 А, SOT669 — Даташит

NXP PSMN4R0-40YS

Наименование модели: PSMN4R0-40YS

43 предложений от 17 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 40 В, 100 А, 0.0032 Ом, SOT-669, Surface Mount
AiPCBA
Весь мир
PSMN4R0-40YS,115
TE Connectivity
25 ₽
ChipWorker
Весь мир
PSMN4R0-40YS
NXP
35 ₽
Эиком
Россия
PSMN4R0-40YS,115
Nexperia
от 91 ₽
PSMN4R0-40YS,115
Nexperia
от 126 ₽
ХРОНИКИ РОСТА: причины увеличения доли китайских полупроводниковых компонентов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 40 В, 100 А, SOT669

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PSMN4R0-40YS
N-channel LFPAK 40 V 4.2 m standard level MOSFET
Rev.

02 -- 12 July 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 40 В
  • On State Resistance: 3.2 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Корпус транзистора: SOT-669
  • Количество выводов: 4
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
  • Current Id Max: 100 А
  • Power Dissipation Pd: 106 Вт

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

PSMN4R040YS, PSMN4R0 40YS

На английском языке: Datasheet PSMN4R0-40YS - NXP MOSFET, N CH, 40 V, 100 A, SOT669

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка