Datasheet PSMN4R0-40YS - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 40 В, 100 А, SOT669 — Даташит
Наименование модели: PSMN4R0-40YS
![]() 43 предложений от 18 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные | |||
PSMN4R0-40YS,115 Nexperia | от 64 ₽ | ||
PSMN4R0-40YS,115 Nexperia | от 114 ₽ | ||
PSMN4R0-40YS,115 Nexperia | от 130 ₽ | ||
PSMN4R0-40YS NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 40 В, 100 А, SOT669
Краткое содержание документа:
PSMN4R0-40YS
N-channel LFPAK 40 V 4.2 m standard level MOSFET
Rev.
02 -- 12 July 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 40 В
- On State Resistance: 3.2 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Корпус транзистора: SOT-669
- Количество выводов: 4
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Current Id Max: 100 А
- Power Dissipation Pd: 106 Вт
RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
PSMN4R040YS, PSMN4R0 40YS