Datasheet PSMN7R0-60YS - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 60 В, 89 А, LFPAK — Даташит
Наименование модели: PSMN7R0-60YS
![]() 32 предложений от 17 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 63А; 117Вт | |||
PSMN7R0-60YS115 NXP | от 22 ₽ | ||
PSMN7R0-60YS,115 NXP | 70 ₽ | ||
PSMN7R0-60YS NXP | по запросу | ||
PSMN7R0-60YS,115 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 60 В, 89 А, LFPAK
Краткое содержание документа:
PSMN7R0-60YS
N-channel LFPAK 60 V 6.4 m standard level MOSFET
Rev.
02 -- 30 March 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On State Resistance: 4.95 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Корпус транзистора: SOT-669
- Количество выводов: 4
- Current Id Max: 89 А
- Power Dissipation Pd: 117 Вт
RoHS: Y-Ex
Дополнительные аксессуары:
- CIRCUITWORKS - CW8100
Варианты написания:
PSMN7R060YS, PSMN7R0 60YS