Контрактное производство электроники. Полный цикл работ

Datasheet PSMN8R2-80YS - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 80 В, 82 А, SOT669 — Даташит

NXP PSMN8R2-80YS

Наименование модели: PSMN8R2-80YS

35 предложений от 17 поставщиков
МОП-транзистор N-CH 80V 8.5 mOhm Standard МОП-транзистор
AiPCBA
Весь мир
PSMN8R2-80YS,115
NXP
65 ₽
Эиком
Россия
PSMN8R2-80YS,115
Nexperia
от 196 ₽
PSMN8R2-80YS
NXP
по запросу
PSMN8R2-80YS
NXP
по запросу
Датчики давления азиатских производителей

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 80 В, 82 А, SOT669

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PSMN8R2-80YS
N-channel LFPAK 80 V 8.5 m standard level MOSFET
Rev.

01 -- 25 June 2009 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 80 В
  • On State Resistance: 5.8 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Корпус транзистора: SOT-669
  • Количество выводов: 4
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
  • Current Id Max: 82 А
  • Power Dissipation Pd: 130 Вт

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

PSMN8R280YS, PSMN8R2 80YS

На английском языке: Datasheet PSMN8R2-80YS - NXP MOSFET, N CH, 80 V, 82 A, SOT669

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка