Источники питания KEEN SIDE

Datasheet PSMN8R5-60YS - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 60 В, 76 А, SOT669 — Даташит

NXP PSMN8R5-60YS

Наименование модели: PSMN8R5-60YS

35 предложений от 17 поставщиков
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 76А; Idm: 303А; 106Вт
Lixinc Electronics
Весь мир
PSMN8R5-60YS,115
NXP
от 30 ₽
Триема
Россия
PSMN8R5-60YS,115
Nexperia
66 ₽
PSMN8R5-60YS,115
Nexperia
от 87 ₽
PSMN8R5-60YS,115
NXP
по запросу
Датчики давления азиатских производителей

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 60 В, 76 А, SOT669

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PSMN8R5-60YS
N-channel LFPAK 60 V, 8 m standard level MOSFET
Rev.

01 -- 22 December 2009 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 60 В
  • On State Resistance: 5.6 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Корпус транзистора: SOT-669
  • Количество выводов: 4
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
  • Current Id Max: 76 А
  • Power Dissipation Pd: 106 Вт

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

PSMN8R560YS, PSMN8R5 60YS

На английском языке: Datasheet PSMN8R5-60YS - NXP MOSFET, N CH, 60 V, 76 A, SOT669

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка