Datasheet PSMN8R5-60YS - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 60 В, 76 А, SOT669 — Даташит
Наименование модели: PSMN8R5-60YS
![]() 35 предложений от 17 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 76А; Idm: 303А; 106Вт | |||
PSMN8R5-60YS,115 NXP | от 30 ₽ | ||
PSMN8R5-60YS,115 Nexperia | 66 ₽ | ||
PSMN8R5-60YS,115 Nexperia | от 87 ₽ | ||
PSMN8R5-60YS,115 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 60 В, 76 А, SOT669
Краткое содержание документа:
PSMN8R5-60YS
N-channel LFPAK 60 V, 8 m standard level MOSFET
Rev.
01 -- 22 December 2009 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On State Resistance: 5.6 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Корпус транзистора: SOT-669
- Количество выводов: 4
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Current Id Max: 76 А
- Power Dissipation Pd: 106 Вт
RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
PSMN8R560YS, PSMN8R5 60YS