Миграция проектов на ПЛИС новых производителей

Datasheet SI2302DS,215 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 20 В, 2.5 А, SOT23 — Даташит

NXP SI2302DS,215

Наименование модели: SI2302DS,215

13 предложений от 10 поставщиков
МОП-транзистор N-CH TRENCH 20V 2.5A
Akcel
Весь мир
SI2302DS,215
NXP
от 2.65 ₽
SI2302DS.215
NXP
6.18 ₽
ЧипСити
Россия
SI2302DS,215
NXP
101 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
SI2302DS215
841 ₽
Критерии выбора литиевых аккумуляторов и батареек: что необходимо учитывать разработчикам

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 20 В, 2.5 А, SOT23

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SI2302DS
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Rev.

02 -- 20 November 2001
M3D088
Product data

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 3.6 А
  • Drain Source Voltage Vds: 20 В
  • On Resistance Rds(on): 85 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 650 мВ
  • Рассеиваемая мощность: 830 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Current Id Max: 2.5 А
  • Тип корпуса: SOT-23
  • Способ монтажа: SMD
  • Тип транзистора: Enhancement
  • Voltage Vds Typ: 20 В
  • Voltage Vgs Max: 650 мВ
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SI2302DS215, SI2302DS 215

На английском языке: Datasheet SI2302DS,215 - NXP MOSFET, N CH, 20 V, 2.5 A, SOT23

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России