Миграция проектов на ПЛИС новых производителей

Datasheet SI2302DS,215 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 20 В, 2.5 А, SOT23 — Даташит

NXP SI2302DS,215

Наименование модели: SI2302DS,215

10 предложений от 10 поставщиков
МОП-транзистор N-CH TRENCH 20V 2.5A
TradeElectronics
Россия
SI2302DS.215
MCC
по запросу
SI2302DS,215N
NXP
по запросу
AllElco Electronics
Весь мир
SI2302DS,215
NXP
по запросу
SI2302DS.215
Microchip
по запросу
Датчики давления азиатских производителей

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 20 В, 2.5 А, SOT23

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SI2302DS
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Rev.

02 -- 20 November 2001
M3D088
Product data

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 3.6 А
  • Drain Source Voltage Vds: 20 В
  • On Resistance Rds(on): 85 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 650 мВ
  • Рассеиваемая мощность: 830 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Current Id Max: 2.5 А
  • Тип корпуса: SOT-23
  • Способ монтажа: SMD
  • Тип транзистора: Enhancement
  • Voltage Vds Typ: 20 В
  • Voltage Vgs Max: 650 мВ
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SI2302DS215, SI2302DS 215

На английском языке: Datasheet SI2302DS,215 - NXP MOSFET, N CH, 20 V, 2.5 A, SOT23

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка