Datasheet SI2302DS,215 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 20 В, 2.5 А, SOT23 — Даташит
Наименование модели: SI2302DS,215
![]() 13 предложений от 13 поставщиков МОП-транзистор N-CH TRENCH 20V 2.5A | |||
SI2302DS,215 NXP | 7.33 ₽ | ||
SI2302DS,215 NXP | по запросу | ||
SI2302DS.215 MCC | по запросу | ||
SI2302DS,215N NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 20 В, 2.5 А, SOT23
Краткое содержание документа:
SI2302DS
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Rev.
02 -- 20 November 2001
M3D088
Product data
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 3.6 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 85 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 650 мВ
- Рассеиваемая мощность: 830 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Current Id Max: 2.5 А
- Тип корпуса: SOT-23
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Enhancement
- Voltage Vds Typ: 20 В
- Voltage Vgs Max: 650 мВ
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
RoHS: есть
Варианты написания:
SI2302DS215, SI2302DS 215