Datasheet BSH103,215 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 850 мА, 3-SOT-23 — Даташит
Наименование модели: BSH103,215
![]() 56 предложений от 23 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 850 мА, 0.4 Ом, TO-236AB, Surface Mount | |||
BSH103,215 | по запросу | ||
BSH103215PHI NXP | по запросу | ||
BSH103.215 NXP | по запросу | ||
BSH103-215 Nexperia | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 850 мА, 3-SOT-23
Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
andbook, halfpage
M3D088
BSH103 N-channel enhancement mode MOS transistor
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 850 мА
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 400 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 400 мВ
RoHS: есть
Варианты написания:
BSH103215, BSH103 215