Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Datasheet BSH103,215 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 850 мА, 3-SOT-23 — Даташит

NXP BSH103,215

Наименование модели: BSH103,215

63 предложений от 25 поставщиков
Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
ICdarom.ru
Россия
BSH103.215 NXP
NXP
от 6.54 ₽
ChipWorker
Весь мир
BSH103,215
NXP
20 ₽
Триема
Россия
BSH103.215 SOT23 NXP код WJ3
53 ₽
Hi-Tech Circuit Group
Весь мир
BSH103,215
Nexperia
по запросу
АЦП азиатских производителей. Часть 1. Преобразователи последовательного приближения

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 850 мА, 3-SOT-23

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
andbook, halfpage
M3D088
BSH103 N-channel enhancement mode MOS transistor

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 850 мА
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 400 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 400 мВ

RoHS: есть

Варианты написания:

BSH103215, BSH103 215

На английском языке: Datasheet BSH103,215 - NXP MOSFET, N CH, 30 V, 850 mA, 3-SOT-23

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка