Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet BSH111,215 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 55 В, 335 мА, 3-SOT-23 — Даташит

NXP BSH111,215

Наименование модели: BSH111,215

21 предложений от 15 поставщиков
NEXPERIA - BSH111,215 - MOSFET Transistor, N Channel, 335 mA, 55 V, 2.3 ohm, 4.5 V, 1 V
BSH111,215
NXP
1.93 ₽
Akcel
Весь мир
BSH111,215
Nexperia
от 2.61 ₽
ChipWorker
Весь мир
BSH111,215
NXP
5.60 ₽
BSH111215
NXP
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 55 В, 335 мА, 3-SOT-23

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BSH111
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Rev.

02 -- 26 April 2002
M3D088
Product data

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 335 мА
  • Drain Source Voltage Vds: 55 В
  • On Resistance Rds(on): 2.3 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В

RoHS: есть

Варианты написания:

BSH111215, BSH111 215

На английском языке: Datasheet BSH111,215 - NXP MOSFET, N CH, 55 V, 335 mA, 3-SOT-23

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России