Datasheet BSH111,215 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 55 В, 335 мА, 3-SOT-23 — Даташит
Наименование модели: BSH111,215
![]() 19 предложений от 16 поставщиков NEXPERIA - BSH111,215 - MOSFET Transistor, N Channel, 335 mA, 55 V, 2.3 ohm, 4.5 V, 1 V | |||
BSH111,215 NXP | 2.96 ₽ | ||
BSH111,215 NXP | 8.09 ₽ | ||
BSH111,215 Nexperia | по запросу | ||
BSH111215 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 55 В, 335 мА, 3-SOT-23
Краткое содержание документа:
BSH111
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Rev.
02 -- 26 April 2002
M3D088
Product data
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 335 мА
- Drain Source Voltage Vds: 55 В
- On Resistance Rds(on): 2.3 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
RoHS: есть
Варианты написания:
BSH111215, BSH111 215