Datasheet BSH111,215 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 55 В, 335 мА, 3-SOT-23 — Даташит

Наименование модели: BSH111,215
Купить BSH111,215 на РадиоЛоцман.Цены — от 3.91 до 31 ₽16 предложений от 16 поставщиков MOSFET N-CH 55V 335MA SOT-23. N-Channel 55V 335mA (Ta) 830mW (Tc) Surface Mount TO-236AB. Transistors - FETs, MOSFETs - Single | |||
| BSH111,215 NXP | 4.70 ₽ | ||
| BSH111,215 Nexperia | 12 ₽ | ||
| BSH111,215 NXP | по запросу | ||
| BSH111,215 Nexperia | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 55 В, 335 мА, 3-SOT-23
Краткое содержание документа:
BSH111
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Rev.
02 -- 26 April 2002
M3D088
Product data
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 335 мА
- Drain Source Voltage Vds: 55 В
- On Resistance Rds(on): 2.3 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
RoHS: есть
Варианты написания:
BSH111215, BSH111 215

Купить BSH111,215 на РадиоЛоцман.Цены




