Datasheet BSH111,215 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 55 В, 335 мА, 3-SOT-23 — Даташит

Купить BSH111,215 на РадиоЛоцман.Цены — от 4.16 до 14 ₽ 19 предложений от 16 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
AiPCBA Весь мир	BSH111,215 NXP	4.99 ₽	Купить
Augswan Весь мир	BSH111,215 Nexperia	по запросу	Купить
МосЧип Россия	BSH111,215 NXP	по запросу	Купить
SUV System Весь мир	BSH111,215 Nexperia	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 55 В, 335 мА, 3-SOT-23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BSH111
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Rev.

02 -- 26 April 2002
M3D088
Product data

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 335 мА
• Drain Source Voltage Vds: 55 В
• On Resistance Rds(on): 2.3 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В

RoHS: есть

Варианты написания:

BSH111215, BSH111 215