Datasheet BSH205,215 - NXP Даташит Полевой транзистор, P CH, 12 В, 0.75 А, SOT23 — Даташит
Наименование модели: BSH205,215
![]() 18 предложений от 17 поставщиков MOSFET P-CH 12V 750MA TO236AB / P-Channel 12 V 750mA (Ta) 417mW (Ta) Surface Mount SOT-23 (TO-236AB) | |||
BSH205,215 NXP | 15 ₽ | ||
BSH205,215 NXP | 22 ₽ | ||
BSH205,215 NXP | по запросу | ||
BSH205,215 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, P CH, 12 В, 0.75 А, SOT23
Краткое содержание документа:
Philips Semiconductors
Product specification
P-channel enhancement mode MOS transistor
FEATURES
· Very low threshold voltage · Fast switching · Logic level compatible · Subminiature surface mount package
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 750 мА
- Drain Source Voltage Vds: -12 В
- On Resistance Rds(on): 0.18 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 680 мВ
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: SOT-23
- Полярность транзистора: P Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 417 мВт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
Варианты написания:
BSH205215, BSH205 215