Datasheet BSN20,215 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 50 В, 173 мА, 3-SOT-23 — Даташит
Наименование модели: BSN20,215
![]() 17 предложений от 15 поставщиков Транзистор полевой N-канальный 50В 173мА | |||
BSN20.215 Hottech | 2.11 ₽ | ||
BSN20,215 NXP | 4.04 ₽ | ||
BSN20@215 NXP | по запросу | ||
BSN20,215 Nexperia | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 50 В, 173 мА, 3-SOT-23
Краткое содержание документа:
BSN20
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Rev.
03 -- 26 June 2000 Product specification
1. Description
N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOSTM1 technology. Product availability: BSN20 in SOT23.
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 173 мА
- Drain Source Voltage Vds: 50 В
- On Resistance Rds(on): 2.8 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
RoHS: есть
Варианты написания:
BSN20215, BSN20 215