Источники питания KEEN SIDE

Datasheet BSP100,135 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 6 А, 4-SOT-223 — Даташит

NXP BSP100,135

Наименование модели: BSP100,135

10 предложений от 10 поставщиков
Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 4Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Эиком
Россия
BSP100,135
NXP
49 ₽
Maybo
Весь мир
BSP100,135
Nexperia
по запросу
Кремний
Россия и страны СНГ
BSP100,135
по запросу
МосЧип
Россия
BSP100135
NXP
по запросу
Датчики давления азиатских производителей

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 6 А, 4-SOT-223

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode TrenchMOSTM transistor
FEATURES
· 'Trench' technology · Low on-state resistance · Fast switching · High thermal cycling performance · Low thermal resistance

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 6 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 80 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В

RoHS: есть

Варианты написания:

BSP100135, BSP100 135

На английском языке: Datasheet BSP100,135 - NXP MOSFET, N CH, 30 V, 6 A, 4-SOT-223

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка