Datasheet BSS123,215 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 150 мА, 3-SOT-23 — Даташит

Купить BSS123,215 на РадиоЛоцман.Цены — от 1.56 до 27 ₽ 64 предложений от 25 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
AllElco Electronics Весь мир	BSS123,215 Nexperia	от 1.56 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	BSS123,215 Nexperia	20 ₽	Купить
Hi-Tech Circuit Group Весь мир	BSS123,215 Nexperia	по запросу	Купить
Стандарт СИЗ Россия	BSS123,215	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 150 мА, 3-SOT-23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET
FEATURES
· 'Trench' technology · Extremely fast switching · Logic level compatible · Subminiature surface mounting package

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 150 мА
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On Resistance Rds(on): 6 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В

RoHS: есть

Варианты написания:

BSS123215, BSS123 215