Datasheet BSS123,215 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 150 мА, 3-SOT-23 — Даташит

Купить BSS123,215 на РадиоЛоцман.Цены — от 1.51 до 22 ₽ 55 предложений от 25 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 150 мА, 3.5 Ом, SOT-23, Surface Mount
Элрус Россия	BSS123,215 Nexperia	от 3.26 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	BSS123,215 Nexperia	от 5.46 ₽	Купить
Контест Россия	BSS123,215 Nexperia	7.40 ₽	Купить
МосЧип Россия	BSS123,215PBF NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 150 мА, 3-SOT-23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET
FEATURES
· 'Trench' technology · Extremely fast switching · Logic level compatible · Subminiature surface mounting package

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 150 мА
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On Resistance Rds(on): 6 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В

RoHS: есть

Варианты написания:

BSS123215, BSS123 215