Datasheet BST82,215 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 190 мА, 3-SOT-23 — Даташит

Купить BST82,215 на РадиоЛоцман.Цены — от 2.80 до 35 ₽ 52 предложений от 24 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
727GS Весь мир	BST82,215 NXP	от 2.80 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	BST82.215 Nexperia	от 13 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	BST82,215 Nexperia	от 14 ₽	Купить
Онлайн Компоненты Россия	BST82,215 Nexperia	от 29 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 190 мА, 3-SOT-23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BST82
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Rev.

03 -- 26 July 2000 Product specification
1. Description
N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOSTM1 technology. Product availability: BST82 in SOT23.

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 190 мА
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On Resistance Rds(on): 5 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В

RoHS: есть

Варианты написания:

BST82215, BST82 215