Datasheet PMV31XN,215 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 20 В, 5.9 А, 3-SOT-23 — Даташит

Купить PMV31XN,215 на РадиоЛоцман.Цены — от 12 до 360 ₽ 14 предложений от 13 поставщиков N-Channel 20 V 5.9A (Tc) 280mW (Tj) Surface Mount SOT-23 (TO-236AB)
Lixinc Electronics Весь мир	PMV31XN,215 Rochester Electronics	12 ₽	Купить
ЧипСити Россия	PMV31XN,215 NXP	83 ₽	Купить
Augswan Весь мир	PMV31XN.215 NXP	по запросу	Купить
Maybo Весь мир	PMV31XN,215 NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 20 В, 5.9 А, 3-SOT-23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMV31XN
µTrenchMOSTM extremely low level FET
Rev.

01 -- 26 February 2003 Product data
1. Description
N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOSTM technology. Product availability: PMV31XN in SOT23.

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 5.9 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On Resistance Rds(on): 31 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В

RoHS: есть

Варианты написания:

PMV31XN215, PMV31XN 215