Datasheet PMV31XN,215 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 20 В, 5.9 А, 3-SOT-23 — Даташит
Наименование модели: PMV31XN,215
![]() 14 предложений от 13 поставщиков Труба MOS, TO-236AB N-CH 20V 5.9A | |||
PMV31XN,215 NXP | 11 ₽ | ||
PMV31XN,215 NXP | 81 ₽ | ||
PMV31XN,215 NXP | по запросу | ||
PMV31XN,215 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 20 В, 5.9 А, 3-SOT-23
Краткое содержание документа:
PMV31XN
µTrenchMOSTM extremely low level FET
Rev.
01 -- 26 February 2003 Product data
1. Description
N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOSTM technology. Product availability: PMV31XN in SOT23.
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 5.9 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 31 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
RoHS: есть
Варианты написания:
PMV31XN215, PMV31XN 215