Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Datasheet PMV31XN,215 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 20 В, 5.9 А, 3-SOT-23 — Даташит

NXP PMV31XN,215

Наименование модели: PMV31XN,215

12 предложений от 11 поставщиков
Труба MOS, TO-236AB N-CH 20V 5.9A
727GS
Весь мир
PMV31XN,215
NXP
от 341 ₽
AllElco Electronics
Весь мир
PMV31XN,215
NXP
по запросу
Maybo
Весь мир
PMV31XN,215
NXP
по запросу
Кремний
Россия и страны СНГ
PMV31XN215
NXP
по запросу
ХРОНИКИ РОСТА: причины увеличения доли китайских полупроводниковых компонентов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 20 В, 5.9 А, 3-SOT-23

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMV31XN
µTrenchMOSTM extremely low level FET
Rev.

01 -- 26 February 2003 Product data
1. Description
N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOSTM technology. Product availability: PMV31XN in SOT23.

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 5.9 А
  • Drain Source Voltage Vds: 20 В
  • On Resistance Rds(on): 31 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В

RoHS: есть

Варианты написания:

PMV31XN215, PMV31XN 215

На английском языке: Datasheet PMV31XN,215 - NXP MOSFET, N CH, 20 V, 5.9 A, 3-SOT-23

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка