Datasheet PMV31XN,215 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 20 В, 5.9 А, 3-SOT-23 — Даташит

NXP PMV31XN,215

Наименование модели: PMV31XN,215

Купить PMV31XN,215 на РадиоЛоцман.Цены — от 7.51 до 61 ₽ 13 предложений от 10 поставщиков PMV31XN - N-channel TrenchMOS FET TO-236 3-Pin
T-electron Россия и страны СНГ	PMV31XN.215 Nexperia	7.51 ₽
ЧипСити Россия	PMV31XN,215 NXP	44 ₽
Океан Электроники Россия	PMV31XN,215 NXP	по запросу
Кремний Россия и страны СНГ	PMV31XN,215	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 20 В, 5.9 А, 3-SOT-23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMV31XN
µTrenchMOSTM extremely low level FET
Rev.

01 -- 26 February 2003 Product data
1. Description
N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOSTM technology. Product availability: PMV31XN in SOT23.

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 5.9 А
Drain Source Voltage Vds: 20 В
On Resistance Rds(on): 31 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В

RoHS: есть

Варианты написания:

PMV31XN215, PMV31XN 215