Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet PSMN7R0-30YL,115 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 76 А, 4-SOT-669 — Даташит

NXP PSMN7R0-30YL,115

Наименование модели: PSMN7R0-30YL,115

26 предложений от 12 поставщиков
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 76А; Idm: 260А; 51Вт
AiPCBA
Весь мир
PSMN7R0-30YL115/BKN
NXP
13 ₽
ChipWorker
Весь мир
PSMN7R0-30YL115/BKN
NXP
13 ₽
Akcel
Весь мир
PSMN7R0-30YL,115
Nexperia
от 24 ₽
Acme Chip
Весь мир
PSMN7R0-30YL.115
NXP
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 76 А, 4-SOT-669

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
LF PA K
PSMN7R0-30YL
N-channel 30 V 7 m logic level MOSFET in LFPAK
Rev.

04 -- 9 March 2011 Product data sheet
1. Product profile

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 76 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 4.92 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В

RoHS: есть

Варианты написания:

PSMN7R030YL,115, PSMN7R0 30YL,115, PSMN7R0-30YL115, PSMN7R0-30YL 115

На английском языке: Datasheet PSMN7R0-30YL,115 - NXP MOSFET, N CH, 30 V, 76 A, 4-SOT-669

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России