Datasheet PH7030L - NXP Даташит Полевой транзистор, N, 30 В, LFPAK — Даташит

Купить PH7030L на РадиоЛоцман.Цены — от 18 до 484 ₽ 28 предложений от 18 поставщиков Полевые транзисторы - Одиночные
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	PH7030L,118 NXP	по запросу	Купить
TradeElectronics Россия	PH.PH7030L,118	по запросу	Купить
ЭлектроПласт Россия	PH7030L118 NXP	по запросу	Купить
Контест Россия	PH7030L Philips	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N, 30 В, LFPAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PH7030L
N-channel TrenchMOS logic level FET
Rev.

05 -- 29 June 2009 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 68 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On State Resistance: 9.6 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-669
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Current Id Max: 68 А
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 6.2 мм
• Внешняя длина / высота: 1.2 мм
• Внешняя ширина: 5 мм
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• N-channel Gate Charge: 12nC
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 9.6 МОм
• On State Resistance Max: 11 МОм
• Тип корпуса: SOT-669
• Power Dissipation Pd: 62.5 Вт
• Pulse Current Idm: 220 А
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть