Datasheet PH7030L - NXP Даташит Полевой транзистор, N, 30 В, LFPAK — Даташит
Наименование модели: PH7030L
Купить PH7030L на РадиоЛоцман.Цены — от 19 до 97 ₽ 19 предложений от 13 поставщиков Trans MOSFET N-CH 30V 68A 5Pin(4+Tab) LFPAK T/R | |||
PH7030L,115 NXP | от 19 ₽ | ||
PH7030L,115 NXP | от 19 ₽ | ||
PH7030L,115 NXP | 97 ₽ | ||
PH7030L NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N, 30 В, LFPAK
Краткое содержание документа:
PH7030L
N-channel TrenchMOS logic level FET
Rev.
05 -- 29 June 2009 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 68 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On State Resistance: 9.6 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-669
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Current Id Max: 68 А
- Current Temperature: 25°C
- External Depth: 6.2 мм
- Внешняя длина / высота: 1.2 мм
- Внешняя ширина: 5 мм
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Температура перехода минимальная: -55°C
- N-channel Gate Charge: 12nC
- Количество транзисторов: 1
- On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 9.6 МОм
- On State Resistance Max: 11 МОм
- Тип корпуса: SOT-669
- Power Dissipation Pd: 62.5 Вт
- Pulse Current Idm: 220 А
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть