Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet BSH203,215 - NXP Даташит Полевой транзистор P-CH 30 В 470 мА SOT23 — Даташит

NXP BSH203,215

Наименование модели: BSH203,215

55 предложений от 22 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, P Канал, 30 В, 470 мА, 0.66 Ом, SOT-23, Surface Mount
BSH203.215
NXP
4.35 ₽
ЗУМ-СМД
Россия
BSH203,215
NXP
7.48 ₽
AiPCBA
Весь мир
BSH203,215
NXP
14 ₽
BSH203,215
Nexperia
от 33 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор P-CH 30 В 470 мА SOT23

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Philips Semiconductors
Product specification
P-channel enhancement mode MOS transistor
FEATURES
· Very low threshold voltage · Fast switching · Logic level compatible · Subminiature surface mount package

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: -280 мА
  • Drain Source Voltage Vds: -30 В
  • On State Resistance: 900 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
  • Voltage Vgs Max: -680 мВ
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
  • Current Id Max: -470 мА
  • Тип корпуса: SOT-23
  • Power Dissipation Pd: 417 мВт
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -680 мВ
  • Тип транзистора: Enhancement
  • Voltage Vds Typ: -30 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: -4.5 В

RoHS: есть

Варианты написания:

BSH203215, BSH203 215

На английском языке: Datasheet BSH203,215 - NXP MOSFET P-CH 30 V 470 mA SOT23

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России