Datasheet PH5330E,115 - NXP Даташит Полевой транзистор N-CH 30 В 80 А LFPAK — Даташит
Наименование модели: PH5330E,115
PH5330E,115 NXP | 79 ₽ | ||
PH5330E+115 NXP | по запросу | ||
PH5330E+115 NXP | по запросу | ||
PH5330E+115 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор N-CH 30 В 80 А LFPAK
Краткое содержание документа:
PH5330E
N-channel TrenchMOS logic level FET
Rev.
02 -- 19 October 2009 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 15 А
- On State Resistance: 5.7 МОм
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-669
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Тип корпуса: SOT-669
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
- Тип транзистора: Enhancement
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
PH5330E115, PH5330E 115