Datasheet PHB101NQ03LT - NXP Даташит Полевой транзистор, N 30 В D2-PAK — Даташит

NXP PHB101NQ03LT

Наименование модели: PHB101NQ03LT

Купить PHB101NQ03LT на РадиоЛоцман.Цены 7 предложений от 7 поставщиков Compliant No SVHC SMD/SMT TO-263 3 166 W 1.9 V 166 W
LifeElectronics Россия	PHB101NQ03LT NXP	по запросу
Кремний Россия и страны СНГ	PHB101NQ03LT	по запросу
TradeElectronics Россия	PHB101NQ03LT.118 NXP	по запросу
Acme Chip Весь мир	PHB101NQ03LT NXP	по запросу

Пленочные конденсаторы Hongfa для источников питания и силовой электроники (Материалы вебинара)

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N 30 В D2-PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PHB/PHD101NQ03LT
TrenchMOSTM logic level FET
Rev.

02 -- 25 February 2003 Product data
1. Description
N-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOSTM technology. Product availability: PHB101NQ03LT in SOT404 (D2-PAK) PHD101NQ03LT in SOT428 (D-PAK).

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 75 А
Drain Source Voltage Vds: 30 В
On State Resistance: 5.8 МОм
Корпус транзистора: D2-PAK
SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
Альтернативный тип корпуса: D2-PAK
Current Temperature: 25°C
Full Power Rating Temperature: 25°C
Тип корпуса: D2-PAK
Power Dissipation Pd: 166 Вт
Pulse Current Idm: 240 А
Способ монтажа: SMD
Voltage Vds: 30 В
Voltage Vgs th Max: 2.5 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

Fischer Elektronik - FK 244 08 D2 PAK
Fischer Elektronik - FK 244 13 D2 PAK
Fischer Elektronik - WLK 5