Datasheet PHD101NQ03LT - NXP Даташит Полевой транзистор, N, 30 В, D-PAK — Даташит

Купить PHD101NQ03LT на РадиоЛоцман.Цены — от 22 до 153 ₽ 13 предложений от 12 поставщиков Биполярные транзисторы - BJT TAPE13 PWR-MOS
ТаймЧипс Россия	PHD101NQ03LT,118 NXP	по запросу	Купить
Maybo Весь мир	PHD101NQ03LT,118 Nexperia	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	PHD101NQ03LT,118 Nexperia	по запросу	Купить
727GS Весь мир	PHD101NQ03LT NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N, 30 В, D-PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PHD101NQ03LT
N-channel TrenchMOS logic level FET
Rev.

04 -- 9 June 2009 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 75 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On State Resistance: 5 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55пїЅпїЅC ... +175°C
• Корпус транзистора: D-PAK
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Альтернативный тип корпуса: TO-252
• Current Id Max: 75 А
• Тип корпуса: DPAK
• Power Dissipation Pd: 166 Вт
• Pulse Current Idm: 240 А
• SMD Marking: PHD101NQ03LT
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.9 В
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - FK 244 08 D2 PAK
• Fischer Elektronik - FK 244 13 D2 PAK
• Fischer Elektronik - WLK 5