Datasheet PHK24NQ04LT - NXP Даташит Полевой транзистор, N, SO-8 — Даташит

Купить PHK24NQ04LT на РадиоЛоцман.Цены 15 предложений от 15 поставщиков МОП-транзистор TAPE13 МОП-транзистор
727GS Весь мир	PHK24NQ04LT,518 NXP	8.09 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	PHK24NQ04LT/T3 NXP	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	PHK24NQ04LT Philips	по запросу	Купить
Maybo Весь мир	PHK24NQ04LT,518 NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PHK24NQ04LT
TrenchMOSTM logic level FET
M3D315
Rev.

01 -- 12 September 2003
Product data

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 21.2 А
• Drain Source Voltage Vds: 40 В
• On State Resistance: 7.7 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Current Id Max: 21.2 А
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 5.2 мм
• Внешняя длина / высота: 1.75 мм
• Внешняя ширина: 4.05 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOIC
• Power Dissipation Pd: 6.25 Вт
• Pulse Current Idm: 60 А
• Расстояние между рядами выводов: 6.3 мм
• SMD Marking: PHK24NQ04LT
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
• Voltage Vds Typ: 40 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть