Datasheet PIP3115-B - NXP Даташит Полевой транзистор, N, INTELLIGENT — Даташит
Наименование модели: PIP3115-B
11 предложений от 11 поставщиков TO-263-3, D虏Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |||
PIP3115-B,118 | 65 ₽ | ||
PIP3115-B,118 NXP | по запросу | ||
PIP3115-B,118 NXP | по запросу | ||
PIP3115-B.118 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N, INTELLIGENT
Краткое содержание документа:
Philips Semiconductors
Product specification
Logic level TOPFET
PIP3115-B
DESCRIPTION
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 16 А
- Drain Source Voltage Vds: 50 В
- On State Resistance: 50 МОм
- Корпус транзистора: D2-PAK
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Альтернативный тип корпуса: D2-PAK
- ESD HBM: 2 кВ
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Температура перехода максимальная: 125°C
- Температура перехода минимальная: -55°C
- Расстояние между выводами: 2.54 мм
- Тип корпуса: D2-PAK
- Power Dissipation Pd: 65 Вт
- Pulse Current Idm: 8 А
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Protected MOSFET
- Voltage In Max: 2.4 В
- Voltage In Min: 0.6 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - FK 244 08 D2 PAK
- Fischer Elektronik - FK 244 13 D2 PAK
- Fischer Elektronik - WLK 5
Варианты написания:
PIP3115B, PIP3115 B