Datasheet PSMN003-30B - NXP Даташит Полевой транзистор, N, D2-PAK — Даташит

Купить PSMN003-30B на РадиоЛоцман.Цены — от 142 до 772 ₽ 17 предложений от 16 поставщиков MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK / Trans MOSFET N-CH 30V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Триема Россия	PSMN003-30B-VB	142 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	PSMN003-30B,118 NXP	по запросу	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	PSMN003-30B,118 NXP	по запросу	Купить
IC Home Весь мир	PSMN003-30B,118 NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N, D2-PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PSMN003-30P; PSMN003-30B
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Rev.

01 -- 23 October 2001 Product data
1. Description
N-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOSTM1 technology. Product availability: PSMN003-30P in SOT78 (TO-220AB) PSMN003-30B in SOT404 (D2-PAK)

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 75 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On State Resistance: 2.4 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Корпус транзистора: D2-PAK
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Avalanche Single Pulse Energy Eas: 500mJ
• Capacitance Ciss Typ: 9200 пФ
• Current Id Max: 75 А
• Температура перехода максимальная: 175°C
• Тип корпуса: D2-PAK
• Power Dissipation Pd: 230 Вт
• Pulse Current Idm: 400 А
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 3 В
• Voltage Vgs th Min: 1 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - FK 244 08 D2 PAK
• Fischer Elektronik - FK 244 13 D2 PAK
• Fischer Elektronik - WLK 5

Варианты написания:

PSMN00330B, PSMN003 30B