Datasheet BSH202,215 - NXP Даташит Полевой транзистор P-CH 30 В 520 мА SOT23 — Даташит
Наименование модели: BSH202,215
Купить BSH202,215 на РадиоЛоцман.Цены — от 3.91 до 32 ₽ 34 предложений от 16 поставщиков Силовой МОП-транзистор, P Канал, 30 В, 520 мА, 0.63 Ом, SOT-23, Surface Mount | |||
BSH202.215 NXP | 3.91 ₽ | ||
BSH202.215 Nexperia | 9.20 ₽ | ||
BSH202,215 NXP | от 18 ₽ | ||
BSH202,215 Nexperia | от 32 ₽ |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор P-CH 30 В 520 мА SOT23
Краткое содержание документа:
Philips Semiconductors
Product specification
P-channel enhancement mode MOS transistor
FEATURES
· Low threshold voltage · Fast switching · Logic level compatible · Subminiature surface mount package
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -280 мА
- Drain Source Voltage Vds: -30 В
- On State Resistance: 900 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Voltage Vgs Max: -1.9 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Current Id Max: -520 мА
- Тип корпуса: SOT-23
- Power Dissipation Pd: 417 мВт
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: -1.9 В
- Тип транзистора: Enhancement
- Voltage Vds Typ: -30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: -10 В
RoHS: есть
Варианты написания:
BSH202215, BSH202 215