Datasheet PSMN2R0-30YL - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH 30 В 100 А SOT669 — Даташит
Наименование модели: PSMN2R0-30YL
Купить PSMN2R0-30YL на РадиоЛоцман.Цены — от 40 до 181 ₽ 28 предложений от 14 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 97Вт; SOT669 | |||
PSMN2R0-30YL115 NXP | 40 ₽ | ||
PSMN2R0-30YL.115 Nexperia | 41 ₽ | ||
PSMN2R0-30YL NXP | по запросу | ||
PSMN2R0-30YL,115 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH 30 В 100 А SOT669
Краткое содержание документа:
LF PA K
PSMN2R0-30YL
N-channel 30 V 2 m logic level MOSFET in LFPAK
Rev.
4 -- 10 March 2011 Product data sheet
1. Product profile
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 100 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On State Resistance: 1.55 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-669
- Количество выводов: 4
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Current Id Max: 100 А
- On State Resistance Max: 1.55 МОм
- Тип корпуса: SOT-669
- Power Dissipation Pd: 97 Вт
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A
Варианты написания:
PSMN2R030YL, PSMN2R0 30YL