На склад поступили жидко-кристаллические индикаторы и дисплеи от KSE

Datasheet PSMN9R0-30YL - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH 30 В 55 А SOT669 — Даташит

NXP PSMN9R0-30YL

Наименование модели: PSMN9R0-30YL

18 предложений от 12 поставщиков
TRANSISTOR 61 A, 30 V, 0.01103 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-235, PLASTIC, LFPAK-4, FET General Purpose Power
AiPCBA
Весь мир
PSMN9R0-30YL115
NXP
24 ₽
ChipWorker
Весь мир
PSMN9R0-30YL115
NXP
24 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
PSMN9R030YL.115
2 230 ₽
ЗУМ-СМД
Россия
PSMN9R0-30YL,115
NXP
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH 30 В 55 А SOT669

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
LF PA K
PSMN9R0-30YL
N-channel 30 V 8 m logic level MOSFET in LFPAK
Rev.

04 -- 9 March 2011 Product data sheet
1. Product profile

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 55 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On State Resistance: 6.16 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-669
  • Количество выводов: 4
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
  • Current Id Max: 55 А
  • On State Resistance Max: 8 МОм
  • Тип корпуса: SOT-669
  • Power Dissipation Pd: 46 Вт
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
  • Voltage Vds Typ: 30 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Panasonic - EYGA091203SM
  • Panasonic - EYGA121807A

Варианты написания:

PSMN9R030YL, PSMN9R0 30YL

На английском языке: Datasheet PSMN9R0-30YL - NXP MOSFET, N CH 30 V 55 A SOT669

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России