HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet 2N6796 - Semelab Даташит Полевой транзистор, N, TO-39 — Даташит

Semelab 2N6796

Наименование модели: 2N6796

16 предложений от 16 поставщиков
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.195ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, TO-205AF, 3 PIN
AiPCBA
Весь мир
2N6796
International Rectifier
620 ₽
ChipWorker
Весь мир
2N6796JANTX
Infineon
657 ₽
JANTXV2N6796
по запросу
Akcel
Весь мир
2N6796
Infineon
по запросу
Электромеханические реле Hongfa – надежность и качество 19 января 2023

Подробное описание

Производитель: Semelab

Описание: Полевой транзистор, N, TO-39

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
2N6796
MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches)
8.64 (0.34) 9.40 (0.37) 8.01 (0.315) 9.01 (0.355)
TMOS FET ENHANCEMENT N - CHANNEL
4.06 (0.16) 4.57 (0.18)

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 8 А
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On State Resistance: 180 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: TO-39
  • Количество выводов: 3
  • Current Id Max: 8 А
  • Current Temperature: 25°C
  • Full Power Rating Temperature: 25°C
  • Расстояние между выводами: 5.08 мм
  • Количество транзисторов: 1
  • Тип корпуса: TO-39
  • Power Dissipation Pd: 25 Вт
  • Pulse Current Idm: 25 А
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
  • Voltage Vds Typ: 100 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Fischer Elektronik - TF 3 2
  • Fischer Elektronik - WLK 5
  • International Rectifier - 2N6796

На английском языке: Datasheet 2N6796 - Semelab MOSFET, N, TO-39

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России