Datasheet 2N6796 - Semelab Даташит Полевой транзистор, N, TO-39 — Даташит
Наименование модели: 2N6796
![]() 19 предложений от 19 поставщиков MOSFET N-CH 100V 8A TO205AF / N-Channel 100 V 8A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-205AF (TO-39) | |||
Q2N6796 | по запросу | ||
2N6796 | по запросу | ||
2N6796 Microsemi | по запросу | ||
JANTX2N6796 Microsemi | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Semelab
Описание: Полевой транзистор, N, TO-39
Краткое содержание документа:
2N6796
MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches)
8.64 (0.34) 9.40 (0.37) 8.01 (0.315) 9.01 (0.355)
TMOS FET ENHANCEMENT N - CHANNEL
4.06 (0.16) 4.57 (0.18)
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 8 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On State Resistance: 180 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-39
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 8 А
- Current Temperature: 25°C
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Расстояние между выводами: 5.08 мм
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: TO-39
- Power Dissipation Pd: 25 Вт
- Pulse Current Idm: 25 А
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Voltage Vds Typ: 100 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - TF 3 2
- Fischer Elektronik - WLK 5
- International Rectifier - 2N6796