Datasheet 2SJ218-E - Renesas Даташит Полевой транзистор, P, LOGIC, TO-3PFM — Даташит
Наименование модели: 2SJ218-E
Silicon P-Channel MOS FET / Trans MOSFET P-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-3PFM | |||
2SJ218 Hitachi | по запросу | ||
2SJ218 | по запросу | ||
2SJ218 Hitachi | по запросу | ||
2SJ218 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Renesas
Описание: Полевой транзистор, P, LOGIC, TO-3PFM
Краткое содержание документа:
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 45 А
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On State Resistance: 60 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Voltage Vgs Max: -20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-3PFM
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: -45 А
- Current Temperature: 25°C
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Напряжение изоляции: 4 кВ
- Расстояние между выводами: 5.45 мм
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: TO-3PFM
- Power Dissipation Pd: 60 Вт
- Pulse Current Idm: 180 А
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: -2 В
- Voltage Vds Typ: -60 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: -10 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - AKK 191
- Fischer Elektronik - FK 201SA-3
- Fischer Elektronik - TF 3 2
- Fischer Elektronik - WLK 5
Варианты написания:
2SJ218E, 2SJ218 E