Datasheet 2SJ645-TL-E - Sanyo Даташит Полевой транзистор, P CH 20 В 8 А TO251 — Даташит
Наименование модели: 2SJ645-TL-E
![]() 11 предложений от 11 поставщиков , GENERAL-PURPOSE SWITCHING DEVICE APPLICATIONS | |||
2SJ645-TL-E ON Semiconductor | 11 ₽ | ||
2SJ645-TL-E Rochester Electronics | 33 ₽ | ||
2SJ645-TL-E ON Semiconductor | по запросу | ||
2SJ645-TL-E | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Sanyo
Описание: Полевой транзистор, P CH 20 В 8 А TO251
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 8 А
- Drain Source Voltage Vds: -20 В
- On State Resistance: 72 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
- Voltage Vgs Max: 10 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-251
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: -8 А
- Тип корпуса: TO-251
- Power Dissipation Pd: 20 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.4 В
- Тип транзистора: Switching
- Voltage Vds Typ: 20 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
RoHS: есть
Варианты написания:
2SJ645TLE, 2SJ645 TL E