Datasheet 2SJ646-TL-E - Sanyo Даташит Полевой транзистор, P CH 30 В 8 А TO251 — Даташит
Наименование модели: 2SJ646-TL-E
![]() 9 предложений от 9 поставщиков 2SJ646 - P-CHANNEL SILICON MOSFE | |||
2SJ646-TL-E ON Semiconductor | 4.93 ₽ | ||
2SJ646-TL-E ON Semiconductor | 14 ₽ | ||
2SJ646-TL-E Rochester Electronics | 16 ₽ | ||
2SJ646-TL-E ON Semiconductor | 49 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Sanyo
Описание: Полевой транзистор, P CH 30 В 8 А TO251
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 8 А
- Drain Source Voltage Vds: -30 В
- On State Resistance: 75 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Voltage Vgs Max: -20 В
- Корпус транзистора: TP-FA
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: -8 А
- Тип корпуса: TP-FA
- Power Dissipation Pd: 15 Вт
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2.6 В
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Варианты написания:
2SJ646TLE, 2SJ646 TL E