Дисплеи для встраиваемых приложений

Datasheet 2SJ646-TL-E - Sanyo Даташит Полевой транзистор, P CH 30 В 8 А TO251 — Даташит

Sanyo 2SJ646-TL-E

Наименование модели: 2SJ646-TL-E

11 предложений от 11 поставщиков
2SJ646 - P-CHANNEL SILICON MOSFE
Lixinc Electronics
Весь мир
2SJ646-TL-E
Rochester Electronics
16 ₽
727GS
Весь мир
2SJ646-TL-E
Rochester Electronics
16 ₽
Эиком
Россия
2SJ646-TL-E
ON Semiconductor
51 ₽
Hi-Tech Circuit Group
Весь мир
2SJ646-TL-E
ON Semiconductor
по запросу
Применение интегрального датчика температуры DS18B20 в автоматизации жилых помещений

Подробное описание

Производитель: Sanyo

Описание: Полевой транзистор, P CH 30 В 8 А TO251

data sheetСкачать Data Sheet

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: 8 А
  • Drain Source Voltage Vds: -30 В
  • On State Resistance: 75 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
  • Voltage Vgs Max: -20 В
  • Корпус транзистора: TP-FA
  • Количество выводов: 3
  • Current Id Max: -8 А
  • Тип корпуса: TP-FA
  • Power Dissipation Pd: 15 Вт
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 2.6 В
  • Voltage Vds Typ: 30 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Варианты написания:

2SJ646TLE, 2SJ646 TL E

На английском языке: Datasheet 2SJ646-TL-E - Sanyo MOSFET, P CH 30 V 8 A TO251

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка