Datasheet 2SK1317-E - Renesas Даташит Полевой транзистор, N, TO-3P — Даташит

Купить 2SK1317-E на РадиоЛоцман.Цены — от 92 до 343 ₽ 57 предложений от 28 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1500В; 2,5А; 100Вт; TO3P
Берёзка Электронные Компоненты Россия	2SK1317-E Renesas	от 192 ₽	Купить
СЭлКом Россия и страны СНГ	2SK1317-E Renesas	276 ₽	Купить
ТаймЧипс Россия	2SK1317-E Renesas	по запросу	Купить
МосЧип Россия	2SK1317E Hitachi	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Renesas

Описание: Полевой транзистор, N, TO-3P

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
2SK1317
Silicon N Channel MOS FET
REJ03G0929-0200 (Previous: ADE-208-1268) Rev.2.00 Sep 07, 2005
Application
High speed power switching

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 2.5 А
• Drain Source Voltage Vds: 1.5 кВ
• On State Resistance: 12 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 15 В
• Voltage Vgs Max: 4 В
• Корпус транзистора: TO-3P
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 2.5 А
• Current Temperature: 25°C
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Расстояние между выводами: 5.45 мм
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: TO-3P
• Power Dissipation Pd: 100 Вт
• Pulse Current Idm: 7 А
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
• Voltage Vds Typ: 1.5 кВ
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 15 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - WLK 5
• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A

Варианты написания:

2SK1317E, 2SK1317 E