Datasheet 2SK1336-E - Renesas Даташит Полевой транзистор, N, LOGIC, TO-92 — Даташит
Наименование модели: 2SK1336-E
Silicon N-Channel MOS FET | |||
REN2SK1336E | по запросу | ||
2SK1336E Hitachi | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Renesas
Описание: Полевой транзистор, N, LOGIC, TO-92
Краткое содержание документа:
2SK1336
Silicon N Channel MOS FET
REJ03G0933-0200 (Previous: ADE-208-1273) Rev.2.00 Sep 07, 2005
Application
High speed power switching
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 300 мА
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On State Resistance: 2.5 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-92
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 300 мА
- Current Temperature: 25°C
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Расстояние между выводами: 1.27 мм
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: TO-92
- Power Dissipation Pd: 400 мВт
- Pulse Current Idm: 1.2 А
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
- Voltage Vds Typ: 60 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - WLK 5
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A
Варианты написания:
2SK1336E, 2SK1336 E