Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet BSS123LT1G - ON Semiconductor Даташит Полевой транзистор, N, SOT-23 — Даташит

ON Semiconductor BSS123LT1G

Наименование модели: BSS123LT1G

49 предложений от 19 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 170 мА, 6 Ом, SOT-23, Surface Mount
BSS123LT1G
ON Semiconductor
0.79 ₽
ЗУМ-СМД
Россия
BSS123LT1G
ON Semiconductor
1.25 ₽
Akcel
Весь мир
BSS123LT1G
ON Semiconductor
от 8.17 ₽
Контест
Россия
BSS123LT1G
ON Semiconductor
8.40 ₽
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-23

data sheetСкачать Data Sheet

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 170 мА
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On State Resistance: 6 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В постоянного тока
  • Voltage Vgs Max: 20 В постоянного тока
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Current Id Max: 170 мА
  • Current Temperature: 25°C
  • External Depth: 2.5 мм
  • Внешняя длина / высота: 1.12 мм
  • Внешняя ширина: 3.05 мм
  • Full Power Rating Temperature: 25°C
  • Количество транзисторов: 1
  • Тип корпуса: SOT-23
  • Power Dissipation Pd: 225 мВт
  • Pulse Current Idm: 680 мА
  • SMD Marking: SA
  • Ширина ленты: 8 мм
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 2.8 В
  • Voltage Vds Typ: 100 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
  • Voltage Vgs th Max: 2.8 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • LICEFA - V11-7
  • Roth Elektronik - RE901

На английском языке: Datasheet BSS123LT1G - ON Semiconductor MOSFET, N, SOT-23

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России