Datasheet BUZ900P - Semelab Даташит Полевой транзистор, N, TO-247 — Даташит
Наименование модели: BUZ900P
![]() Труба MOS, N-channel power MOSFET. Power MOSFETs for audio applications. Drain - source voltage 160V. | |||
BUZ900P Magnatec | 1 011 ₽ | ||
BUZ900P Semelab | 1 160 ₽ | ||
BUZ900P | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Semelab
Описание: Полевой транзистор, N, TO-247
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 8 А
- Drain Source Voltage Vds: 160 В
- On State Resistance: 1.5 Ом
- Voltage Vgs Max: 14 В
- Корпус транзистора: TO-247
- Количество выводов: 3
- Альтернативный тип корпуса: SOT-249
- Capacitance Ciss Typ: 500 пФ
- Current Id Max: 8 А
- Current Temperature: 25°C
- Маркировка: BUZ900P
- Diode Flywheel: Id(peak) = 8 А
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Тепловое сопротивление переход-корпус: 1°C/W
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: TO-247
- Pin Configuration: G(1), S(2), D(3)
- Power Dissipation Pd: 125 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
- Время выключения: 50 нс
- Время включения: 100 нс
- Voltage Vds Typ: 160 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 H
- Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 O
- Fischer Elektronik - SK 145/25 STS-220
- Fischer Elektronik - WLK 5