AC-DC и DC-DC преобразователи напряжения Top Power на складе ЭЛТЕХ

Datasheet BUZ900P - Semelab Даташит Полевой транзистор, N, TO-247 — Даташит

Semelab BUZ900P

Наименование модели: BUZ900P

Труба MOS, N-channel power MOSFET. Power MOSFETs for audio applications. Drain - source voltage 160V.
ChipWorker
Весь мир
BUZ900P
Magnatec
1 011 ₽
AiPCBA
Весь мир
BUZ900P
Semelab
1 160 ₽
BUZ900P
по запросу
КОМПЭЛ представляет техническое руководство по выбору компонентов Hongfa для зарядных станций

Подробное описание

Производитель: Semelab

Описание: Полевой транзистор, N, TO-247

data sheetСкачать Data Sheet

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 8 А
  • Drain Source Voltage Vds: 160 В
  • On State Resistance: 1.5 Ом
  • Voltage Vgs Max: 14 В
  • Корпус транзистора: TO-247
  • Количество выводов: 3
  • Альтернативный тип корпуса: SOT-249
  • Capacitance Ciss Typ: 500 пФ
  • Current Id Max: 8 А
  • Current Temperature: 25°C
  • Маркировка: BUZ900P
  • Diode Flywheel: Id(peak) = 8 А
  • Full Power Rating Temperature: 25°C
  • Температура перехода максимальная: 150°C
  • Тепловое сопротивление переход-корпус: 1°C/W
  • Количество транзисторов: 1
  • Тип корпуса: TO-247
  • Pin Configuration: G(1), S(2), D(3)
  • Power Dissipation Pd: 125 Вт
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
  • Время выключения: 50 нс
  • Время включения: 100 нс
  • Voltage Vds Typ: 160 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 H
  • Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 O
  • Fischer Elektronik - SK 145/25 STS-220
  • Fischer Elektronik - WLK 5

На английском языке: Datasheet BUZ900P - Semelab MOSFET, N, TO-247

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка