Datasheet MTD5P06VT4G - ON Semiconductor Даташит Полевой транзистор, P, D-PAK — Даташит

Купить MTD5P06VT4G на РадиоЛоцман.Цены — от 25 до 295 ₽ 14 предложений от 11 поставщиков Транзисторы - МОП-транзисторы
Maybo Весь мир	MTD5P06VT4G ON Semiconductor	169 ₽	Купить
Augswan Весь мир	MTD5P06V--T4G ON Semiconductor	по запросу	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	MTD5P06VT4G ON Semiconductor	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	MTD5P06VT4G	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Полевой транзистор, P, D-PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MTD5P06V
Preferred Device
Power MOSFET
5 Amps, 60 Volts P-Channel DPAK
This Power MOSFET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes.

Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls, these devices are particularly well suited for bridge circuits where diode speed and commutating safe operating areas are critical and offer additional safety margin against unexpected voltage transients.

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 5 А
• Drain Source Voltage Vds: 60 В
• On State Resistance: 450 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 2.8 В
• Корпус транзистора: D-PAK
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Avalanche Single Pulse Energy Eas: 125mJ
• Current Id Max: 5 А
• Тип корпуса: DPAK
• Power Dissipation Pd: 40 Вт
• Pulse Current Idm: 18 А
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: -2.8 В
• Voltage Vds Typ: -60 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: -10 В
• Voltage Vgs th Max: -4 В
• Voltage Vgs th Min: -2 В

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - FK 244 13 D PAK
• Fischer Elektronik - WLK 5
• Roth Elektronik - RE901