Datasheet MTD6N20ET4G - ON Semiconductor Даташит Полевой транзистор, N, D-PAK — Даташит
Наименование модели: MTD6N20ET4G
![]() 16 предложений от 14 поставщиков Транзисторы - МОП-транзисторы | |||
MTD6N20ET4G ON Semiconductor | от 24 ₽ | ||
MTD6N20ET4G ON Semiconductor | 31 ₽ | ||
MTD6N20ET4G ON Semiconductor | 64 ₽ | ||
MTD6N20ET4G ON Semiconductor | по запросу |
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: Полевой транзистор, N, D-PAK
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 6 А
- Drain Source Voltage Vds: 200 В
- On State Resistance: 700 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 3 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: D-PAK
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Альтернативный тип корпуса: D-PAK
- Current Id Max: 6 А
- Current Temperature: 25°C
- External Depth: 10.5 мм
- Внешняя длина / высота: 2.55 мм
- Внешняя ширина: 6.8 мм
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: DPAK
- Power Dissipation Pd: 50 Вт
- Pulse Current Idm: 18 А
- SMD Marking: 6N20E
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Voltage Vds Typ: 200 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть