Datasheet NID6002NT4G - ON Semiconductor Даташит SMART полевой транзистор, N, 65 В, 2.5 Вт, D-PAK — Даташит

Купить NID6002NT4G на РадиоЛоцман.Цены — от 0.66 до 531 ₽ 24 предложений от 15 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 70V 6.5A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R
727GS Весь мир	NID6002NT4G ON Semiconductor	от 0.66 ₽	Купить
EIS Components Весь мир	NID6002NT4G ON Semiconductor	31 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	NID6002NT4G ON Semiconductor	101 ₽	Купить
ЭИК Россия	NID6002NT4G ON Semiconductor	от 353 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: SMART полевой транзистор, N, 65 В, 2.5 Вт, D-PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NID6002N
Preferred Device
Self-Protected FET with Temperature and Current Limit
65 V, 6.5 A, Single N-Channel, DPAK
http://onsemi.com

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 6.5 А
• Drain Source Voltage Vds: 65 В
• On Resistance Rds(on): 210 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.85 В
• Рассеиваемая мощность: 2.5 Вт
• Корпус транзистора: D-PAK
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Avalanche Single Pulse Energy Eas: 143mJ
• Current Id Max: 11 А
• Тип корпуса: DPAK
• Pin Configuration: 1(G), 2(D), 3(S)
• Shutdown Temperature: 200°C
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 65 В
• Voltage Vgs Max: 1.85 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 2.4 В
• Voltage Vgs th Min: 1 В

RoHS: есть