Datasheet NID9N05CLT4G - ON Semiconductor Даташит SMART полевой транзистор, N, 52 В, 28.8 Вт, D-PAK — Даташит

Купить NID9N05CLT4G на РадиоЛоцман.Цены — от 23 до 142 ₽ 12 предложений от 12 поставщиков TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
EIS Components Весь мир	NID9N05CLT4G ON Semiconductor	23 ₽	Купить
Maybo Весь мир	NID9N05CLT4G ON Semiconductor	32 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	NID9N05CLT4G ON Semiconductor	по запросу	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	NID9N05CLT4G ON Semiconductor	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: SMART полевой транзистор, N, 52 В, 28.8 Вт, D-PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NID9N05CL Power MOSFET
9.0 A, 52 V, N-Channel, Logic Level, Clamped MOSFET w/ESD Protection in a DPAK Package
http://onsemi.com Benefits
· High Energy Capability for Inductive Loads · Low Switching Noise Generation
Features

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 9 А
• Drain Source Voltage Vds: 52 В
• On State Resistance: 181 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4 В
• Voltage Vgs Max: 15 В постоянного тока
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Корпус транзистора: D-PAK
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Avalanche Single Pulse Energy Eas: 160mJ
• Clamping Voltage Vc Max: 59 В
• Current Id Max: 9 А
• Тип корпуса: DPAK
• Pin Configuration: 1(G), 2(D), 3(S), 4-TAB(D)
• Power Dissipation Pd: 28.8 Вт
• Pulse Current Idm: 35 А
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.75 В
• Voltage Vds Typ: 52 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 12 В
• Voltage Vgs th Max: 2.5 В
• Voltage Vgs th Min: 1.3 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - FK 244 08 D PAK
• Fischer Elektronik - FK 244 13 D PAK
• Fischer Elektronik - WLK 5