Datasheet NTD12N10G - ON Semiconductor Даташит Полевой транзистор, N, D-PAK — Даташит
Наименование модели: NTD12N10G
![]() 14 предложений от 11 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3Pin(2+Tab) DPAK Rail | |||
NTD12N10G ON Semiconductor | от 2.38 ₽ | ||
NTD12N10G ON Semiconductor | 78 ₽ | ||
NTD12N10G ON Semiconductor | по запросу | ||
NTD12N10G ON Semiconductor | по запросу |
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: Полевой транзистор, N, D-PAK
Краткое содержание документа:
NTD12N10
Preferred Device
Power MOSFET 12 Amps, 100 Volts
N-Channel Enhancement-Mode DPAK
Features http://onsemi.com
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 12 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On State Resistance: 165 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 3.1 В
- Корпус транзистора: D-PAK
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Avalanche Single Pulse Energy Eas: 75mJ
- Current Id Max: 12 А
- Тепловое сопротивление переход-корпус: 2.65°C/W
- Тип корпуса: DPAK
- Power Dissipation Pd: 56.6 Вт
- Pulse Current Idm: 36 А
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3.1 В
- Voltage Vds Typ: 100 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 4 В
- Voltage Vgs th Min: 2 В
RoHS: Y-Ex
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - FK 244 13 D PAK
- Fischer Elektronik - WLK 5
- Roth Elektronik - RE901