Datasheet NTMS4N01R2G - ON Semiconductor Даташит Полевой транзистор, N, 20 В, SOIC-8 — Даташит
Наименование модели: NTMS4N01R2G
![]() 17 предложений от 15 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 20V 5.9A 8Pin SOIC N T/R | |||
NTMS4N01R2G ON Semiconductor | 20 ₽ | ||
NTMS4N01R2G ON Semiconductor | от 66 ₽ | ||
NTMS4N01R2G ON Semiconductor | 311 ₽ | ||
NTMS4N01R2G ON Semiconductor | по запросу |
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: Полевой транзистор, N, 20 В, SOIC-8
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 4.2 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 45 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 950 мВ
- Рассеиваемая мощность: 770 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Current Id Max: 4.2 А
- Тип корпуса: SOIC
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: 20 В
- Voltage Vgs Max: 950 мВ
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
RoHS: есть