HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet NTMS4N01R2G - ON Semiconductor Даташит Полевой транзистор, N, 20 В, SOIC-8 — Даташит

ON Semiconductor NTMS4N01R2G

Наименование модели: NTMS4N01R2G

16 предложений от 10 поставщиков
Trans MOSFET N-CH 20V 5.9A 8Pin SOIC N T/R
T-electron
Россия и страны СНГ
NTMS4N01R2G
ON Semiconductor
23 ₽
ЭИК
Россия
NTMS4N01R2G
ON Semiconductor
56 ₽
Akcel
Весь мир
NTMS4N01R2G
ON Semiconductor
от 256 ₽
Flash-Turtle
Весь мир
NTMS4N01R2G
ON Semiconductor
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Полевой транзистор, N, 20 В, SOIC-8

data sheetСкачать Data Sheet

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 4.2 А
  • Drain Source Voltage Vds: 20 В
  • On Resistance Rds(on): 45 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 950 мВ
  • Рассеиваемая мощность: 770 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Current Id Max: 4.2 А
  • Тип корпуса: SOIC
  • Способ монтажа: SMD
  • Voltage Vds Typ: 20 В
  • Voltage Vgs Max: 950 мВ
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet NTMS4N01R2G - ON Semiconductor MOSFET, N, 20 V, SOIC-8

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России