Datasheet NTR2101PT1G - ON Semiconductor Даташит Полевой транзистор — Даташит
Наименование модели: NTR2101PT1G
![]() 37 предложений от 20 поставщиков Силовой МОП-транзистор, P Канал, 8 В, 3.7 А, 0.052 Ом, SOT-23, Surface Mount | |||
NTR2101PT1G ON Semiconductor | от 35 ₽ | ||
NTR2101PT1G Rochester Electronics | от 110 ₽ | ||
NTR2101PT1G ON Semiconductor | по запросу | ||
NTR2101PT1G ON Semiconductor | по запросу |
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: Полевой транзистор
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current, Id: 3.7 А
- Drain Source Voltage, Vds: -8 В
- On Resistance, Rds(on): 0.052 Ом
- Rds(on) Test Voltage, Vgs: -4.5 В
- Threshold Voltage, Vgs Typ: -1 В
- Рассеиваемая мощность: 960 мВт
RoHS: есть