Degson: клеммы, корпуса, источники питания

Datasheet RJK1055DPB - Renesas Даташит Полевой транзистор.N CH, 100 В, 23 А, LFPAK — Даташит

Renesas RJK1055DPB

Наименование модели: RJK1055DPB

15 предложений от 8 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 23 А, 0.013 Ом, SC-100, Surface Mount
T-electron
Россия и страны СНГ
RJK1055DPB-00#J5
Renesas
97 ₽
ЧипСити
Россия
RJK1055DPB-00#J5
Renesas
130 ₽
ChipWorker
Весь мир
RJK1055DPB-00#J5
Renesas
133 ₽
RJK1055DPB-00#J5
Renesas
по запросу
Продукция HONGFA – надежность и качество для разных задач

Подробное описание

Производитель: Renesas

Описание: Полевой транзистор.N CH, 100 В, 23 А, LFPAK

data sheetСкачать Data Sheet

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On State Resistance: 13 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Корпус транзистора: LFPAK
  • Количество выводов: 5
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Current Id Max: 23 А
  • Power Dissipation Pd: 60 Вт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • CHEMTRONICS - CW8400
  • MULTICORE (SOLDER) - 698840

На английском языке: Datasheet RJK1055DPB - Renesas MOSFET.N CH, 100 V, 23 A, LFPAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России