Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheet RJK1055DPB - Renesas Даташит Полевой транзистор.N CH, 100 В, 23 А, LFPAK — Даташит

Renesas RJK1055DPB

Наименование модели: RJK1055DPB

22 предложений от 12 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 23 А, 0.013 Ом, SC-100, Surface Mount
AllElco Electronics
Весь мир
RJK1055DPB-00#J5
Renesas
41 ₽
ChipWorker
Весь мир
RJK1055DPB-00#J5
Renesas
62 ₽
Maybo
Весь мир
RJK1055DPB-00#J5
Renesas
220 ₽
Элитан
Россия
RJK1055DPB-00#J5
Renesas
230 ₽
КОМПЭЛ представляет техническое руководство по выбору компонентов Hongfa для зарядных станций

Подробное описание

Производитель: Renesas

Описание: Полевой транзистор.N CH, 100 В, 23 А, LFPAK

data sheetСкачать Data Sheet

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On State Resistance: 13 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Корпус транзистора: LFPAK
  • Количество выводов: 5
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Current Id Max: 23 А
  • Power Dissipation Pd: 60 Вт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • CHEMTRONICS - CW8400
  • MULTICORE (SOLDER) - 698840

На английском языке: Datasheet RJK1055DPB - Renesas MOSFET.N CH, 100 V, 23 A, LFPAK

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка