Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Datasheet RJK1055DPB - Renesas Даташит Полевой транзистор.N CH, 100 В, 23 А, LFPAK — Даташит

Renesas RJK1055DPB

Наименование модели: RJK1055DPB

29 предложений от 14 поставщиков
Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
727GS
Весь мир
RJK1055DPB-00#J5
Renesas
от 44 ₽
AiPCBA
Весь мир
RJK1055DPB-00#J5
Renesas
123 ₽
Элитан
Россия
RJK1055DPB-00#J5
Renesas
230 ₽
Hi-Tech Circuit Group
Весь мир
RJK1055DPB-00#J5
по запросу
АЦП азиатских производителей. Часть 1. Преобразователи последовательного приближения

Подробное описание

Производитель: Renesas

Описание: Полевой транзистор.N CH, 100 В, 23 А, LFPAK

data sheetСкачать Data Sheet

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On State Resistance: 13 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Корпус транзистора: LFPAK
  • Количество выводов: 5
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Current Id Max: 23 А
  • Power Dissipation Pd: 60 Вт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • CHEMTRONICS - CW8400
  • MULTICORE (SOLDER) - 698840

На английском языке: Datasheet RJK1055DPB - Renesas MOSFET.N CH, 100 V, 23 A, LFPAK

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка