Datasheet RJP020N06T100 - Rohm Даташит Полевой транзистор, N CH, 60 В, 2 А, SOT-89 — Даташит
Наименование модели: RJP020N06T100
![]() 37 предложений от 16 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 2 А, 0.165 Ом, SOT-89, Surface Mount | |||
RJP020N06T100 LAPIS Semiconductor | от 12 ₽ | ||
RJP020N06T100 Rohm | от 64 ₽ | ||
RJP020N06T100 Rohm | по запросу | ||
RJP020N06T100 Rohm | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Rohm
Описание: Полевой транзистор, N CH, 60 В, 2 А, SOT-89
Краткое содержание документа:
RJP020N06
Transistors
2.5V Drive Nch MOS FET
RJP020N06
Structure Silicon N-channel MOS FET External dimensions (Unit : mm)
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On State Resistance: 165 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Voltage Vgs Max: 12 В
- Корпус транзистора: SOT-89
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Current Id Max: 2 А
- Power Dissipation Pd: 500 мВт
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- VISHAY SILICONIX - SI9948AEY