Datasheet RSS100N03FU6TB - Rohm Даташит Полевой транзистор, N, 30 В, 10 А — Даташит
Наименование модели: RSS100N03FU6TB
![]() 13 предложений от 11 поставщиков Труба MOS, SOP N-CH 30V 10A | |||
RSS100N03FU6TB SOP8 Rohm | от 29 ₽ | ||
RSS100N03FU6TB Rohm | 530 ₽ | ||
RSS100N03FU6TB Rohm | по запросу | ||
RSS100N03FU6TB Rohm | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Rohm
Описание: Полевой транзистор, N, 30 В, 10 А
Краткое содержание документа:
RSS100N03
Transistor
4V Drive Nch MOS FET
RSS100N03
Structure Silicon N-channel MOS FET External dimensions (Unit : mm)
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 10 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On State Resistance: 9.5 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Корпус транзистора: SOP
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Current Id Max: 10 А
- On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 12.5 МОм
- On State resistance @ Vgs = 10V: 9.5 МОм
- Тип корпуса: SOP-8
- Power Dissipation Pd: 2 Вт
- Pulse Current Idm: 40 А
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2.5 В
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 2.5 В
- Voltage Vgs th Min: 1 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A
- Roth Elektronik - RE932-01