Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet RTR040N03TL - Rohm Даташит Полевой транзистор, N, 30 В, 4 А — Даташит

Rohm RTR040N03TL

Наименование модели: RTR040N03TL

27 предложений от 13 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, низкое пороговое напряжение затвора, N Канал, 30 В, 4 А, 0.066 Ом, TSMT
Akcel
Весь мир
RTR040N03TL
Rohm
от 6.56 ₽
Utmel
Весь мир
RTR040N03TL
Rohm
от 6.87 ₽
ChipWorker
Весь мир
RTR040N03TL
28 ₽
Контест
Россия
RTR040N03TL
Rohm
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Rohm

Описание: Полевой транзистор, N, 30 В, 4 А

data sheetСкачать Data Sheet

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 4 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 66 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
  • Рассеиваемая мощность: 1 Вт
  • Корпус транзистора: TSMT
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
  • Capacitance Ciss Typ: 475 пФ
  • Current Id Max: 4 А
  • Fall Time tf: 19 нс
  • Тип корпуса: TSMT3
  • Pin Configuration: 1(G), 2(S), 3(D)
  • Pulse Current Idm: 16 А
  • Rise Time: 18 нс
  • Способ монтажа: SMD
  • Voltage Vds Typ: 30 В
  • Voltage Vgs Max: 12 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 2.5 В
  • Voltage Vgs th Max: 1.5 В
  • Voltage Vgs th Min: 500 мВ

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet RTR040N03TL - Rohm MOSFET, N, 30 V, 4 A

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России