Datasheet 2N7002ET1G - ON Semiconductor Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 60 В, 310 мА SOT-23 — Даташит
Наименование модели: 2N7002ET1G
Купить 2N7002ET1G на РадиоЛоцман.Цены — от 0.49 до 28 ₽ 48 предложений от 21 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,22А; Idm: 1,2А; 0,42Вт; SOT23 | |||
2N7002ET1G ON Semiconductor | 0.49 ₽ | ||
2N7002ET1G ON Semiconductor | 1.32 ₽ | ||
2N7002E-T1-GE3 Vishay | 28 ₽ | ||
2N7002ET1G | от 2.97 ₽ |
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 60 В, 310 мА SOT-23
Краткое содержание документа:
2N7002E Small Signal MOSFET
60 V, 310 mA, Single, N-Channel, SOT-23
Features
· · · ·
Low RDS(on) Small Footprint Surface Mount Package Trench Technology These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant Low Side Load Switch Level Shift Circuits DC-DC Converter Portable Applications i.e.
DSC, PDA, Cell Phone, etc.
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 310 мА
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on): 2.5 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
- Рассеиваемая мощность: 420 мВт
RoHS: есть